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Chapitre VIII : Thyristors et triacs
TTHHYYRRIISSTTOORRSS EETT TTRRIIAACCSS
VI.1 LES THYRISTORS
VI.1.1 Constitution
Le thyristor est constitué par la juxtaposition de trois jonctions P-N. C'est un barreau de semi-
conducteur au silicium à quatre couches alternativement dopées P et N.
La couche extrême de type P ou couche d'anode porte une électrode : l'anode (A). Cette couche
et d'épaisseur moyenne, son dopage n'est pas uniforme. Très faiblement dopée au voisinage de la
jonction d'anode afin d'assurer une bonne tenue en tension en polarisation inverse (JA en inverse),
elle est dopée de façon plus importante prés du contact métallique d'anode pour améliorer la
conductivité en polarisation directe.
La couche extrême de type N ou couche de cathode est munie d'une électrode : la cathode (K).
Cette couche est très mince et très fortement dopée. En raison de ce dopage important, la
jonction de cathode présente une très faible tenue en inverse.
La couche interne de type P ou couche de commande est dotée de l'électrode dite de commande
: la gâchette (G). Cette couche est très mince et très faiblement dopée.
La couche interne de type N est appelée couche de blocage. Cette couche est très épaisse et très
faiblement dopée. Ce faible dopage permet au thyristor d'avoir une bonne tenue en tension en
polarisation directe (JC en inverse).
Jonction de cathode JK
Jonction de commande JC
Jonction d'anode JA
Cathode (K)
Couche de cathode
N
P
N
P
Gâchette (G)
Couche de commande Couche de blocage
Anode (A)
Couche d'anode
A
G
K
Figure VI.1 : Constitution et symbole d'un thyristor
Cette description fait apparaître successivement trois jonctions P-N :
– La jonction couche d'anode - couche de blocage dite jonction d'anode JA.
– La jonction couche de blocage - couche de commande dite jonction de commande JC.
– La jonction couche de commande - couche de cathode dite jonction de cathode JK.
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Chapitre VIII : Thyristors et triacs
Le thyristor sera polarisé en direct si la tension VAK = (VA – VK) est positive. Les jonctions JA et
JK sont alors en direct et la jonction JC en inverse.
Le thyristor sera polarisé en inverse si la tension VAK est négative. Les jonctions JA et JK sont
alors en inverse et la jonction JC en direct.
VI.1.2 Analyse de fonctionnement
Le montage de la figure VI.2, comprend un circuit de gâchette de faible puissance et un circuit
d'anode de forte puissance.
En polarisation directe (EA >0) :
– Lorsqu'il n'y à pas un signal de commande (k ouvert donc IG = 0) :
Pour EA < VAK0 (VAK0 = 34 V pour le MCR 106) : IA = 0 et VAK EA, le thyristor se comporte
comme un circuit ouvert, on dit qu'il est bloqué.
Pour EA VAK0 : IA = (EA/R) et VAK 0,8 V, le thyristor se comporte comme un court-circuit, on
dit qu'il est amorcé.
La tension VAK0 pour laquelle le thyristor s'amorce est appelée tension de retournement ou
tension d'amorçage à courant de gâchette nul.
Le thyristor étant amorcé, si on diminue la tension EA, le thyristor reste conducteur jusqu'à une
certaine valeur du courant IA noté IH est appelé courant de maintien, puis il se bloque.
– Lorsqu'il y à un signal de commande (k fermé donc IG > 0) :
Pour IG = 5 mA, le thyristor s'amorce pour EA = 15 V, et pour IG = IGT, le thyristor s'amorce pour
tout EA positif. Dans tous les cas, lorsque le thyristor est amorcé, si l'on ouvre l'interrupteur k (IG
= 0), le thyristor reste conducteur. Pour se bloquer, il est nécessaire, soit de diminuer le courant
IA en dessous de la valeur IH, soit d'inverser la tension d'alimentation EA.
En polarisation inverse (EA < 0) : La présence du courant de gâchette n'a aucun influence.
– Pour EA > –35 V, IA 0 et VAK EA. Le thyristor est bloqué.
– Pour EA –35 V, le courant IA croit brusquement, mais la tension VAK reste pratiquement
égale à – 35 V. Il est nécessaire de limiter le courant IA pour éviter une dissipation de puissance
excessive. Le thyristor est alors en régime de claquage.
IA
mA
mA
RG
EG
Th
IG
K
VAK
V
RA
EA
mV
VGK
Circuit de gâchette
Circuit d'anode
Figure VI.2 : Circuit de polarisation d'un thyristor
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Chapitre VIII : Thyristors et triacs
VI.1.3 Caractéristiques du thyristor
Un montage à thyristor (figure VI.2) présente deux circuits fondamentaux : Le circuit de
puissance ou circuit d'anode et le circuit de commande ou circuit de gâchette.
Dans chacun de ces circuits les différentes grandeurs sont liées par un réseau de caractéristiques :
– Réseau d'anode IA = f(VAK), paramètre IG.
– Réseau de gâchette IG = f(VGK).
VI.1.3.1 Caractéristiques d'anode
VI.1.3.1.1 Caractéristiques directes
Le courant IA est pratiquement nul avant l'amorçage, la tension VAK est très faible et quasi
constante (0,8 V) en régime de conduction. Le point pour lequel VAK est maximale est appelé
point de retournement dont les coordonnées (VAK0 ; IA0) sont appelées tension et courant de
retournement.
Par convention, à courant de gâchette nul la
IA (mA)
tension de retournement est notée VDRM (tension
de pointe que peut supporter le thyristor en
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polarisation directe pour se maintenir à l'état
bloqué).
20 mA
8 mA
5 mA
IG = 0
La tension de retournement est une fonction
0
15
VAK (V)
décroissante du courant de gâchette et de la
Figure VI.3 : Caractéristiques directes d'un thyristor
température.
Pour un courant de gâchette IG = IGT, l'état passant apparaît pour tout VAK positif : Le thyristor se
comporte comme une diode.
VI.1.3.1.2 Caractéristique inverse
La caractéristique inverse est analogue à celle
d'une diode à jonction : Courant très faible avant
claquage, caractéristique pratiquement verticale
après claquage.
La valeur absolue de la tension VAK pour laquelle
apparaît le claquage est notée VRRM (tension
inverse de pointe que peut supporter le thyristor
IA (mA)
–18
0
VAK (V)
–3
pour se maintenir à l'état bloqué).
Figure VI.4 : Caractéristique inverse d'un thyristor
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VI.1.3.2 Caractéristiques de gâchette
La caractéristique de gâchette est la courbe
IG
représentative de la relation IG = f(VGK) pour
IGS
IA = 0. C'est la caractéristique de la diode
C0
PGS
gâchette - cathode à l'état bloqué.
En raison de sa configuration, cette diode
diffère d'une diode à jonction classique par :
une chute de tension directe plus élevée, un
IGT
IGD
PGAV
Zone d'amorçage certain
'
C0
courant inverse beaucoup plus grand, une
0
VGD
VGT
tenue en inverse, relativement faible et une
très grande dispersion pour un même type de
Zone d'amorçage impossible
Zone d'amorçage possible
VGK
VGS
thyristor.
Figure VI.4 : Caractéristiques de gâchette d'un thyristor
Pour traduire cette dispersion, le constructeur ne peut fournir que les caractéristiques C0 et C0
'
des échantillons extrêmes d'un même type.
Les conditions d'amorçage sont traduites dans le plan (IG ; VGK) par :
– Un domaine, où aucun, échantillon ne s'amorce, limité par les valeurs IGD et VGD.
– Un domaine où certains échantillons s'amorcent, limité par les valeurs IGT et VGT.
– Un domaine d'amorçage certain pour tous les échantillons.
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– Une zone de destruction limitée par l'hyperbole de puissance.
VI.1.3.3 Caractéristiques dynamiques
VI.1.3.3.1 Temps d'amorçage ton
Suite à une impulsion de commande sur la gâchette, la tension VAK ne décroît pas
immédiatement. On traduit ce retard à l'amorçage par le temps ton dit temps d'amorçage. Ce
temps se décompose en deux intervalles :
– Le temps de retard td (delay-time) : durée qui s'écoule entre le passage de l'impulsion à 10% de
sa valeur maximale et le passage de la tension VAK à 90% de sa valeur maximale.
– Le temps de descente tr (rise-time) pendant lequel la tension VAK passe de 90% à 10% de sa
valeur maximale.
VI.1.3.3.2 Temps de blocage ou de désamorçage toff
C'est le temps qui s'écoule entre l'instant où la tension VAK s'annule et l'instant ou le thyristor
devient susceptible de supporter une polarisation directe sans se réamorcer. En d'autre terme c'est
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le temps nécessaire pour que la jonction de commande redevienne, après annulation du courant
d'anode, capable de soutenir une tension inverse élevée.
Ce temps, qui varie de 5 à 100 µs suivant le type, limite la fréquence d'utilisation des thyristors.
Ig
0
VAK
ton
t
td
tr
Bloqué
Amorcé
0
t
VAK
Amorcé
0
toff
Bloqué
t
Figure VI.5 : Caractéristiques dynamiques d'un thyristor
VI.1.4 Commutation
On appelle commutation d'un thyristor le passage de l'état passant à l'état bloqué. Suivant la
nature de la tension anode - cathode, cette commutation peut se faire, soit de façon naturelle, soit
de façon forcée.
VI.4.1 Commutation naturelle
Lorsque la tension anode cathode aux bornes du thyristor diminue ou passe par zéro, le courant
d'anode devient inférieur au courant de maintien : le thyristor se bloque. On dit qu'il y a
commutation naturelle.
VI.4.2 Commutation forcée
Lorsque la tension anode cathode aux bornes du thyristor reste toujours positive, après amorçage
par le dispositif de commande, il est nécessaire de lui adjoindre un dispositif de commutation
forcée.
VI.5 Application des thyristors
Les applications du thyristor sont essentiellement liées à la possibilité de régler la puissance
dissipée dans une charge. Les utilisations typiques sont essentiellement :
– Convertisseurs alternatif – continu contrôlés complets (redressement commandés).
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– Convertisseurs alternatif – continu semi contrôlés (ponts mixtes).
– Convertisseurs continu – alternatif (onduleurs autonomes).
– Convertisseurs continu – continu (hacheurs).
VI.6 Choix et limites d'utilisation des thyristors
Le choix du thyristor adéquat pour une application donnée, dépend principalement :
– De la tension de retournement à courant de gâchette nul (VDRM).
– De la tension de claquage (VRRM).
– Du courant direct moyen maximal (IFAV).
– Du courant direct de pointe accidentel maximal (ITSM).
– Des temps d'amorçage et de désamorçage (ton et toff).
Lettre de symboles
Initiale du mot anglais
Traduction française
LETTRES DES SYMBOLES
AV D F G H M N P R 1er position R 2éme position S T W
average direct forward gate holding maximum negative peak reverse
recurrent
surge thyristor working
moyen continu sens direct gâchette maintien maximal négatif pointe inverse
récurrent
accidentel thyristor de service
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Chapitre VIII : Thyristors et triacs
(guide de technicien en électronique page 93)
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VI.2 LES TRIACS
Le triac (Triode Alternatif Current) est un semi-conducteur à conduction bidirectionnelle
commandée. En effet, alors que le thyristor ne s'amorce qu'en polarisation directe, le triac est
amorçable pour des tensions d'alimentation de signe quelconque. Il est équivalent à deux
thyristors montés en opposition. Il n'existe q'une seule gâchette G et deux anodes A1 et A2 non
identiques.
VI.2.1 Constitution et fonctionnement
On peut schématiser la structure d'un triac par celle d'un thyristor classique dans lequel seraient
diffusées deux zones de type N, l'une dans la couche d'anode, l'autre dans la couche de
commande.
Deux électrodes métalliques placées sur les zones (P1-N4) est (P2-N2) portant le non d'anodes, la
troisième placée sur la zone (P2-N3) est appelée gâchette.
L'ensemble peut être assimilé à deux thyristors (P1N1P2N2) et (P2N1P1N4) montés en parallèle
inverse. Cette analogie ne peut être prolongée car si la gâchette du premier est bien connectée à
la couche de commande, il n'en est pas même pour le deuxième.
Anode 2
N4
Gâchette
N3
P1
N1
P2
N2
Anode 1
A2
G
A1
A2
P1
N4
Th1
Th2
N2
P2
A1
Figure VI.8 : Constitution et symbole d'un triac
Le fonctionnement peut être analysé sommairement de la façon suivante :
VA2A1 positive (polarisation directe), le thyristor Th1 est en direct, une impulsion sur la
gâchette permet son amorçage (thyristor classique).
VA2A1 négative (polarisation inverse), le thyristor Th2 est en direct, la jonction N1P1 jouant le
rôle de jonction de commande (elle seule est polarisée en inverse). Une impulsion négative sur la
gâchette permet une injection d'électrons dans la région P2, où devenus minoritaires, ils sont
accélérés par le champ interne dans la région N1. Le dopage de la région N1 est augmenté et la
tenue en inverse de la jonction N1P1 diminuée. Il y a claquage.
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VI.2.2 Caractéristiques tension – courant et propriétés
Extérieurement, le triac se comporte comme deux
thyristors montés en tête-bêche. Il en résulte une
symétrie de sa caractéristique par rapport à
l'origine.
Par contre, si dans le montage à thyristors, chaque
IG = 0
IA
IG = 0
IG > 0
IG < 0
0
VA2A1
thyristor dispose d'une demi période pour se
bloquer lorsqu'il passe en polarisation inverse, le
triac (élément bidirectionnel) devra avoir un temps
Figure VI.6 : Caractéristiques courant - tension
de blocage très petit devant la demi période. L'utilisation en fréquence est en conséquence très
vite limitée (300 à 400 Hz).
En polarisation inverse, le thyristor doit pouvoir supporter la tension maximale pour éviter le
claquage (généralement destructif). Le triac est, lui, autoprotégé puisqu'il s'amorce dans les deux
sens.
VI.2.3 Applications
Principalement les triacs sont beaucoup plus utilisés dans les convertisseurs alternatif – alternatif
(gradateurs triphasé et monophasé).
VI.2.4 Choix des triacs
Le choix des triacs dépend :
– Du courant efficace dans le semi-conducteur (IFAV).
– Du courant de pointe répétitif (ITSM).
– De la tension directe maximale répétitive (VDRM).
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(mémotech page 490)
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