ISET Nabeul
ECUE n° 1 : Electronique Générale
Chapitre 5
Polarisation d’un Transistor
Nombre d’heures/chapitre : 4h
Cours intégré
Système d’évaluation : Continu
OBJECTIFS DE L’ENSEIGNEMENT :
- Connaître les composants élémentaires de l’électronique et leurs applications dans les
fonctions de base
- Prendre en compte les limitations et des caractéristiques d'un composant réel,
- Savoir exploiter un document constructeur.
CONTENU THEORIQUE :
Dans ce chapitre en reprend les actes d’un transistor bipolaire tout en cherchons les modes
d’exploitation de ses caractéristiques tout en cherchons l’extraction de maximum de puissance
avec une bonne qualité de signal et ce ci avec le bon choix du point de fonctionnement.
Dans ce chapitre aussi en cherche tout en étudiant statiquement, les effets inconvénients et
avantageux le bon choix de la méthode de polarisation d’un transistor bipolaire qui nous garantie
un fonctionnement normale et thermiquement stable.
CHELBI Hassen
62
Chapitre 5
Polarisation d’un Transistor
ISET Nabeul
1. Introduction :
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone
linéaire de ses caractéristiques. Pour cela on applique sur les trois électrodes du transistor des
potentiels continues de valeurs convenables.
Le point de fonctionnement est fixé par les valeurs de IB et VBE (caractéristiques d'entrée) et les
valeurs de IC et VCE (caractéristiques de sortie)
Figure V-1
1.1. Point de fonctionnement :
A partir du réseau de caractéristique, on peut déterminer le point de fonctionnement. La
connaissance du point de repos à l'entrée N, permet de déduire, via la caractéristique de transfert
en courant IC = f (IB), la valeur du courant de sortie et donc le point de repos en sortie M
CHELBI Hassen
63
ISET Nabeul
1.1.1. Maille d'entrée : détermination du point N :
La loi des mailles à 1'entrée donne : EB=RB IB +VBE . Le point N est définit par l' intersection
de la caractéristique d'entrée du transistor VBE =f(IB) et de la droite d'équation VBE = EB -RB IB
appelée droite d'attaque statique.
1.1.2. Maille de sortie : détermination du point M :
La connaissance du point (VBE ,,IB) permet la détermination du courant ICo. L'équation de la
droite de charge statique est définie, à partir de la maille de sortie, par :VCE=EC -RC IC .
L'intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor (correspondant au
courant IB0 d'entrée) définit le point de repos en sortie M caractérise par IC0 et VCE0.
Figure V-2
2. Réalisations pratiques de la polarisation :
Le montage de la figure V-1 est fonctionnel, mais il nécessite deux sources de tension. En
pratique, les montages utilisent une seule source de tension continue.
CHELBI Hassen
64
2.1. Polarisation par résistance de base :
Soit le montage de la figure V-3 :
ISET Nabeul
La loi des mailles à l'entrée permet d'écrire :
=
E R I
B B
+
V
BE
avec
BEV
≈
0, 7
V
Figure V-3
=
I
B
−
E V
R
B
BE
≈
E
R
B
Pour la maille de sortie, on peut écrire : E=RC IC +VCE. Donc :VCE =E - RC IC avec C
I
Iβ=
B
Ce montage est sensible à la dérive thermique. Ce type de polarisation ne doit jamais être
employé pour un transistor utilise en amplificateur (il est tolérable en commutation).
Publicité
2.2. Polarisation par réaction d'émetteur :
Soit le montage de la figure V-4 ci-dessous :
Figure V-4
CHELBI Hassen
65
ISET Nabeul
La résistance RE permet de compenser les variations de β. En effet, Si β croit, IC et donc IE
augmente. Le potentiel de 1'emetteur VE =RE IE croit ainsi que le potentiel de base (puisque VBE =
0,7V) ce qui diminue ainsi le courant de base puisque
I
=
B
−
E V
B
R
B
; donc le courant IC. diminue.
2.3. Polarisation par réaction de collecteur :
Soit le montage de la figure V-5 ci-dessous :
Figure V-5
On a : CE
V
= −
E R I
C C
et : CE
V
=
R I
B B
. Si β croit, IC augmente, donc VCE diminue ainsi que la
différence de potentiel aux bornes de RB. Le courant IB diminue et contrebalance l’accroissement
du gain.
2.4. Polarisation par pont de base et résistance d'émetteur :
Soit le montage de la figure V-6 ci-dessous :
CHELBI Hassen
66
ISET Nabeul
B
C
E
Vcc
M
Figure V-6
Pour rendre indépendant le courant collecteur des variations du gain, on utilise un diviseur de
tension nomme « pont de base ».
On suppose que le courant de base est négligeable par rapport au courant qui circule dans les
résistances du pont de base.
I
B
I<<
P
Dans ces conditions, le pont diviseur maintient constant le potentiel VB de la base (par rapport
à la masse) puisque : BM
V
=
R I
I P
V
BM
=
V
BE
+
R I
E E
BEV
≈
0, 7
V
V
BM
=
−
0, 7
=
R
E
0, 7
−
R I
I P
R
E
=
I
Publicité
E
V
EM
R
E
Comme B
I
I<<
, on a : C
I
C
I≈
E
La valeur de IC est indépendante du gain. En imposant le potentiel de base, on impose le
potentiel de l'émetteur donc le courant d'émetteur et donc le courant de collecteur. L'équation de
la droite de charge est donnée par la maille de sortie, soit
V
CE
= −
E
(
R
C
+
)
R I
E
C
CHELBI Hassen
67
Remarque : En remplaçant R1 et R2 par le générateur de Thévenin, on tire :
ISET Nabeul
Figure V-7
=
E
Th
=
R
Th
R
1
+
R R
2
1
R R
1
2
+
R R
2
1
Soit:
V
BM
=
E
Th
−
R I
Th B
6. Application :
Exercice 1 :
Une mesure sur un transistor bipolaire NPN, faite avec le circuit de la figure au dessous a
donné les résultats suivants :
a/ pour Vcc = 3 V et IB = 12 µA => IC = 2 mA et VBE = 0.675 V
CHELBI Hassen
68
ISET Nabeul
Dans quel mode de fonctionnement se trouvait le transistor ?
Déterminer les paramètres IS et ß de ce transistor.
Quel courant de base faudrait-il imposer pour avoir un courant de collecteur de 10 mA ?
Quelle serait alors la tension base-émetteur ? Dans ces conditions quelle est la variation relative
du courant de collecteur si la source de courant de base varie de ±2% ?
b/ Avec le même transistor qu’au point a) mis dans le circuit de mesure ci-dessous, quelle
tension base-émetteur faut-il imposer pour avoir le même courant de collecteur de 10 mA ? Quel
est le courant de base correspondant ?
Dans ces conditions quelle est la variation relative du courant de collecteur si la source de
tension VBE varie de ±2% ?
Corrigé :
a) Vcc = VCE = 3 V et VBE =Uj = 0.7 V
VCB = VCE - VBE =2.3 V > 0 => mode normal
I
C
=
β
.
Publicité
I
B
=
β
=
167
I
I
C
B
=>
=> IS= 10.6 fA
pour avoir IC = 10 mA, il faut imposer
I =
B
I
C
β
= 60 µA
ce qui donne la valeur exacte VBE =
U
ln=
T
I
I
C
S
= 0.717 V
CHELBI Hassen
69
ISET Nabeul
Comme IC = ß·IB, si IB varie de ±2%, IC varie de ±2%.
b) Pour avoir IC = 10 mA, il faut imposer : VBE =
U
ln=
T
I
I
C
S
= 0.717 V et le courant de base
vaut :
I =
B
I
C
β
= 60 µA
Si VBE varie de ±2%, IC varie de 5.78 mA à 17.43 mA, soit de -42% à +74% !
Le transistor est donc beaucoup plus sensible à des variations de la tension VBE qu’à des
variations du courant IB, ce qui est gênant pour faire des mesures statiques, mais devient
intéressant pour faire un amplificateur.
Exercice 2 :
Soit le montage suivant :
UB0 = 2.9 V Uj =0.7 V RC = 4.7 kΩ RE = 2.2 kΩ , ß = 200 et Vcc = 15 V
Calculer le point de repos c.à.d. les courants IB0, IE0 et IC0, ainsi que les tensions UE0 et UC0
lorsque ∆UB = 0.
Quel est le mode de fonctionnement du transistor ?
Décrivez le fonctionnement du montage
CHELBI Hassen
70
ISET Nabeul
Corrigé :
a) ∆ UB = 0 UE0 = UB0 - Uj = 2.2 V
IE0 =
U 0 = 1 mA IC0 =
E
R
e
β
+1
β
IE0 = IE0 = 1 mA
IB0 =
0CI
β
= 5 µA UC0 = Vcc - RC IC0 = 10.3 V
UBC0 = UB0 - UC0 = -7.4 V => mode normal
b) gm =
0CI
β
= 3.85.10-2 A/V gbe =
mg
β
= 192 µA/V
∆IC=β∆IB=gm∆UBE
c) ∆ UE = RE(∆ IC + ∆IB) = RE(gm + gbe)∆ UBE
Publicité
∆ UC = -RC∆ IC = -gmRC∆ UBE
∆ UB = ∆ UE+ ∆ UBE= (RE(gm + gbe)+1)∆ UBE
comme ß >> 1 on peut admettre que (gm + gbe) » gm d’où :
Δ
Δ
U
U
E
B
=
.
Rg
m
E
+
.
Rg
m
E
1
et
Δ
Δ
U
U
C
B
−=
.
Rg
m
C
+
.
Rg
m
E
1
si de plus gmRE >>1 c.a.d si REIC0 = UE0 >> UT = 26 mV
CHELBI Hassen
71
ISET Nabeul
alors
Δ
Δ
U
U
E
B
1=
et
Δ
Δ
U
U
C
B
−=
R
C
R
E
Application numérique : UE0 = 2.2 V >> 26 mV
=>
Δ
Δ
U
U
E
B
1=
et
Δ
Δ
U
U
C
B
1.2−=
, figure ci-dessous :
CHELBI Hassen
72