Application
On se propose d'étudier la courbe de transfert statique d'un inverseur CMOS (montage simple à
deux transistors complémentaires vu en cours) et de déterminer sa caractéristique Vout = f(Vin),
ainsi que le courant de court-circuit lors de la commutation. Il utilise des transistors en technologie
0,5μm pour lesquels
μn Cox = 100 μA / V2
μp Cox = 43 μA / V2
Wn / Ln = 2 μm / 1 μm
Wp / Lp = 4.6 μm / 1 μm
|VTn| = |VTp | = 0,8 V
VDD = 3,3 V ;
Q1) Cet inverseur est-il équilibré ?
Q2) Calculer les valeurs des tensions de sortie Vol et Voh,
Q3) Calculer les valeurs des tensions d'entrée Vil et Vih, qui
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définissent les marges de bruit.
Q4) Calculer la tension de basculement Vm pour lequel Vout = Vin.
Q5) Déterminer le courant de court-circuit Imax circulant transitoirement entre VDD et VSS lors
de la commutation, lorsque Vin = Vout = Vm, et évaluez la puissance instantanée dissipée
correspondante.
Q6) Expliquez pourquoi les concepteurs de circuits (ou les outils de synthèse automatiques)
cherchent à obtenir des fronts de commutation des signaux les plus raides possibles. Comment
peut-on obtenir ce résultat ?
Objectif :
On veut définir le schéma en transistors NMOS d'un circuit réalisant une fonction booléenne S à
trois entrées (A, B, C) dont la table de vérité est donnée par:
A
B
C
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S
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Q7) Exprimer S sous forme d’une fonction booléenne simplifiée (c'est à dire contenant le plus petit
nombre possible de littéraux).
Q8) Donner le schéma en transistors de la porte CMOS DUAL qui réalise la fonction booléenne 𝑆̅.
Q9) Quelle est la façon la plus simple de réaliser S avec des transistors MOS?